Fattori perturbanti possono essere per esempio ioni estranei che per adsorbimento selettivo su alcune forme impediscono alla silice di accrescere quella faccia . Oppure che per ragioni chimico-fisiche possono "assomigliare " alla silice e quindi prenderne il posto in misura tanto maggiore quanto più tumultuosa e veloce è la crescita , creando dei difetti nel reticolo .

Questi difetti a loro volta , possono provocare tensioni strutturali tali da determinare le geminazioni , magari con la complicità degli sbalzi di temperatura .Altro esempio può essere il repentino (relativo !) abbassamento della temperatura che determinerà la formazione di cristalli sottili in grande numero e con molti atomi spuri nell'edificio cristallino .

L'interno del cristallo è stabile , formato da atomi disposti con ordine e reciprocamente saturati dalle forze di legame ; non è così invece per la superficie che è la fine del cristallo e , come tutte le superfici di separazione in senso stretto , è dotata di caratteristiche particolari che variano secondo la disposizione degli atomi sulla superficie del cristallo .

Così adsorbimento selettivo , solubilità , cristallizzazione epitattica , geminazione possono essere specificità di una determinata faccia .